Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STSJ100NHS3LL

MOSFET N-CH 30V 100A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC-EP
Seri / Aile Numarası
STSJ100NHS3

STSJ100NHS3LL Hakkında

STMicroelectronics tarafından üretilen STSJ100NHS3LL, 30V drenaj-kaynak gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 100A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 4.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıpla yüksek akım anahtarlaması sağlar. 8-SOIC-EP yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrolü, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi yüksek akım gerektiren uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı sunarak geniş endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uyumludur. 35nC gate charge ve 4200pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama karakteristiğini belirler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC-EP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok