Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STS9P2UH7
MOSFET P-CH 20V 9A 8SO
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STS9P2UH7
STS9P2UH7 Hakkında
STS9P2UH7, STMicroelectronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 9A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (22.5mOhm @ 4.5V) ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. Gate şarjı 22nC ile hızlı anahtarlama sağlar. Güç yönetimi, motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlamalı regülatör devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Bileşen üretimden kaldırılmış (obsolete) olup, yerine alternatif modeller önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2390 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok