Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STS8N6LF6AG

MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
STS8N6LF6

STS8N6LF6AG Hakkında

STS8N6LF6AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 24mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Gate eşik gerilimi 2.5V'dir. 8-SOIC yüzeye monte paketi ile kompakt tasarımlara uyumludur. Motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında sıkça tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1340 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok