Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STS6P3LLH6

MOSFET P-CH 30V 6A 8SO

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
STS6P3LLH6

STS6P3LLH6 Hakkında

STS6P3LLH6, STMicroelectronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 6A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtar görevi yapmak için tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan transistör, maksimum 2.7W güç dağıtabilir ve -150°C işletme sıcaklığına kadar çalışır. 10V gate geriliminde 30mOhm'luk düşük on-resistance değeri sayesinde verimlenen anahtar uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve koruma sistemlerinde tercih edilir. ±20V maksimum gate gerilimi ve 1450pF giriş kapasitansi ile hızlı anahtarlama operasyonlarını destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 24 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok