Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STS4DPFS30L

MOSFET P-CH 30V 5A 8SO

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
STS4DPFS30L

STS4DPFS30L Hakkında

STS4DPFS30L, STMicroelectronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 5A sürekli dren akımı ile çalışabilen bu bileşen, 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 55mOhm RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. İzole Schottky diyot özelliği içeren bu transistör, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri ve anahtarlı güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılır. 150°C maksimum işletme sıcaklığı ve ±16V maksimum gate gerilimi ile güvenli çalışma ortamı sunar. Bileşen obsolete durumda olup, mevcut stoklar kısıtlıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok