Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STS3P6F6

MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
STS3P6F6

STS3P6F6 Hakkında

STS3P6F6, STMicroelectronics tarafından üretilen P-kanal MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ve 3A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montajı paketinde sunulan bu transistör, 160mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve güç yönetimi uygulamalarında, anahtar devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 2.7W maksimum güç kayıpı, 6.4nC gate charge ve 340pF input capacitance değerleriyle belirtilir. Ürün şu anda deprecated durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 48 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok