Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STS2DPFS20V

MOSFET P-CH 20V 2.5A 8SO

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
STS2DPFS20V

STS2DPFS20V Hakkında

STS2DPFS20V, STMicroelectronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 2.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 200mOhm (4.5V, 1A koşullarında) on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. Entegre Schottky diyotlu yapısı hızlı komutasyon gerektiren devrelerde kullanılır. ±12V gate gerilimi aralığında çalışır ve 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen kompakt 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulur. Kuvvet kaynakları, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları ve yük anahtarlama devrelerinde kullanılmaya uygundur. Not: Bu bileşen üretimi durdurulmuştur (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 315 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok