Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STS1NK60Z

MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
STS1NK60Z

STS1NK60Z Hakkında

STS1NK60Z, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim dayanımı ve 250mA sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 15Ohm on-state direnci sayesinde düşük güç tüketimi sağlar. 8-SOIC yüzey monte paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Voltaj dönüştürücüler, anahtarlama devreleri, koruma uygulamaları ve düşük güçlü DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 94 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15Ohm @ 400mA, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok