Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STS1HNK60
MOSFET N-CH 600V 300MA 8SO
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STS1HNK60
STS1HNK60 Hakkında
STS1HNK60, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 300mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu komponentin maksimum RDS(on) değeri 8.5Ω'dur (500mA, 10V koşullarında). -65°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 2W maksimum güç tüketimi özelliğine sahiptir. Düşük gate charge (10nC @ 10V) ve düşük input kapasitesi (156pF @ 25V) sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. İleri seviye güç yönetimi, AC/DC adaptörleri, düşük güçlü switcher devreleri ve denetim uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu komponentin üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 156 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok