Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STS10P4LLF6

MOSFET P-CH 40V 10A 8SO

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
STS10P4LLF6

STS10P4LLF6 Hakkında

STS10P4LLF6, STMicroelectronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 15mΩ maksimum on-direnci (10V, 3A koşullarında) ile düşük güç kaybı sağlar. ±20V maksimum gate gerilimi ve 1V eşik gerilimi (250µA'da) ile kontrol uygulamalarında kullanılabilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 2.7W güç dağıtımı kapasitesi, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilmesini sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3525 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok