Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STS10P3LLH6

MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
STS10P3LLH6

STS10P3LLH6 Hakkında

STS10P3LLH6, STMicroelectronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 8-SOIC yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, 12mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen STS10P3LLH6, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 33nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sunar. 2.7W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile termal tasarımda esneklik sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3350 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok