Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STS10N3LH5
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STS10N3LH5
STS10N3LH5 Hakkında
STS10N3LH5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı özelliğine sahip olan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 21mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında ve 2.5W güç disipasyonu kapasitesiyle, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüler, DC-DC konvertörler ve güç anahtarlaması uygulamalarında tercih edilir. Düşük kapı yükü (4.6nC) hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 475 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±22V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok