Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STQ2NK60ZR-AP

MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
STQ2NK60ZR

STQ2NK60ZR-AP Hakkında

STQ2NK60ZR-AP, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim (Vdss) ve 400mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 8Ω maksimum RDS(on) değeri ve 10V sürüş geriliminde çalışması ile kontrol devrelerinde, güç kaynakları ve küçük güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir çalışma sağlar. Through-hole montaj türüyle geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 700mA, 10V
Supplier Device Package TO-92-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok