Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STQ2HNK60ZR-AP
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STQ2HNK60Z
STQ2HNK60ZR-AP Hakkında
STQ2HNK60ZR-AP, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drenaj-kaynak gerilimi ve 500mA sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-92-3 paketlemesi, through-hole montajı için uygundur. 4.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Güç kaynağı yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı RF devrelerinde tercih edilir. ±30V maksimum gate gerilimi ile geniş uygulama yelpazesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok