Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STQ1NK80ZR-AP
MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STQ1NK80ZR
STQ1NK80ZR-AP Hakkında
STQ1NK80ZR-AP, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V Drain-Source gerilim ve 300mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve izolasyon uygulamalarında tercih edilir. 16Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Endüstriyel elektronik ve güç denetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 160 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok