Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STQ1NK60ZR-AP

MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
STQ1NK60ZR

STQ1NK60ZR-AP Hakkında

STQ1NK60ZR-AP, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V yüksek voltaj kapasitesi ve 300mA sürekli dren akımı ile anahtarlama ve güç kontrol uygulamalarında kullanılır. TO-92-3 paketindeki bu bileşen, düşük gate charge (6.9 nC) ve optimize edilmiş RDS(on) değerleriyle (15Ω @ 10V) enerji tasarrufu sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel kontrol, güç kaynakları, AC motor kontrolleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 94 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15Ohm @ 400mA, 10V
Supplier Device Package TO-92-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok