Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STQ1HNK60R-AP
MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STQ1HNK60R
STQ1HNK60R-AP Hakkında
STQ1HNK60R-AP, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 400mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama görevi görmektedir. 10V sürme voltajında 8.5Ohm maksimum on-state direnci, hızlı ve verimli komütasyon sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş uygulamalar için uygunluk sunar. İndüktif yüklerin kontrolü, anahtarlama devreleri, AC adaptörleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. 3W maksimum güç dağılımı ve 156pF maksimum giriş kapasitesi ile kompakt tasarımlar destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 156 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok