Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STQ1HN60K3-AP
MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STQ1HN60K3
STQ1HN60K3-AP Hakkında
STQ1HN60K3-AP, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 400mA sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüm geriliminde 8Ohm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve maksimum 3W güç tüketebilir. 4.5V eşik gerilimi ve düşük kapasitans değerleriyle (140pF @ 50V) hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç kaynağı kontrol devreleri, motor sürücüleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Bileşen şu anda üretim dışı (Obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 600mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok