Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP9NM60N

MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP9NM60N

STP9NM60N Hakkında

STP9NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET'idir. 600V drain-source gerilim ve 6.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 70W güç dağıtımı yapabilen bir yapıya sahiptir. 745mOhm (10V, 3.25A'de) on-resistance değeriyle röle sürücüleri, SMPS (Switched Mode Power Supply) devreleri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Maksimum ±25V gate-source geriliminde çalışan bileşen, 150°C'ye kadar sıcaklık ortamında operasyon gösterebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 452 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 745mOhm @ 3.25A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok