Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP9NM50N
MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP9NM50N
STP9NM50N Hakkında
STP9NM50N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, motor kontrollerinde ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 560mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. Çalışma sıcaklığı aralığı -55°C ile 150°C arasındadır. Bileşen üretimi durdurulmuştur ancak mevcut stoklarda bulunabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 3.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok