Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP9NK80Z

MOSFET N-CH 800V 7.5A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP9NK80Z

STP9NK80Z Hakkında

STP9NK80Z, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilim kapasitesi ve 7.5A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketi ile montajı kolay ve ısı yönetimi etkilidir. 10V gate geriliminde 1.2Ω RDS(on) değeri ile güç kaybı düşüktür. Anahtarlama uygulamaları, power supply devreleri, inverter ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Maksimum 150W güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok