Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP9N80K5

MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP9N80K5

STP9N80K5 Hakkında

STP9N80K5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltaj ve 7A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 900mΩ maksimum RDS(on) değeri ile iletim kaybını minimize eder. TO-220 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve elektrik dönüştürücülerinde tercih edilir. ±30V maksimum gate voltajı, geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 110W güç disipasyonu kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarına uygun özellikleri barındırır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok