Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP9N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP9N65M2
STP9N65M2 Hakkında
STP9N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim ve 5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 900mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. 10V gate sürüş geriliminde çalışan bu transistör, 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında kullanılabilir. TO-220-3 paketinde sunulan komponent, yüksek gerilim uygulamalarında, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve inverter tasarımlarında kullanılan endüstriyel elektronik ürünüdür. 60W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile termal tasarımda dikkate alınmalıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 315 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok