Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP9N60M2

MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP9N60M2

STP9N60M2 Hakkında

STP9N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 5.5A sürekli dren akımı kapasitesine ve maksimum 60W güç tüketimine sahiptir. 780mOhm (10V, 3A koşullarında) on-state direnci ile yüksek güç uygulamalarında verimli çalışır. 10nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Endüstriyel denetim devreleri, elektrik motor sürücüleri, enerji dönüşüm sistemleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±25V maksimum gate-source gerilimi geniş kontrol aralığı sunar. 150°C üst çalışma sıcaklığı ile ısıl olarak talep gören ortamlarda güvenilir operasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 320 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 780mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok