Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP8NM60N
MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP8NM60N
STP8NM60N Hakkında
STP8NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 7A sürekli dren akımı kapasitesine ve 650mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 70W güç dağıtım kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. Gate yükü 19nC ve giriş kapasitanası 560pF'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu MOSFET, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum ±25V gate gerilimi ve 4V threshold gerilimi ile güvenli anahtarlama sağlar. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok