Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP8NM60D
MOSFET N-CH 600V 8A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP8NM60D
STP8NM60D Hakkında
STP8NM60D, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj (Vdss) ve 8A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 10V kapı voltajında 1Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 18nC olup hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılır. -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 100W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarında uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok