Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP8NM60

MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP8NM60

STP8NM60 Hakkında

STP8NM60, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paket içinde sunulan bu bileşen, maksimum 8A sürekli drenaj akımı ile çalışabilir. 1Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 18nC gate charge ve 400pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun karakteristikleri gösterir. ±30V maksimum gate-source voltajı ile geniş kontrol aralığında kullanılabilir. 100W maksimum güç dağıtımı kapasitesi sayesinde yüksek güç uygulamalarında tercih edilir. Anahtarlama devreleri, güç kaynakları, invertör uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel ortamlar için uygunluğunu gösterir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok