Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP8NM50N

MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP8NM50N

STP8NM50N Hakkında

STP8NM50N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç elektroniği devreleri, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol sistemleri ve güç kaynakları tasarımında yer alır. 790mOhm RDS(on) değeri ile verimli komütasyon sağlar. 10V gate sürüş voltajında çalışır ve ±25V maksimum gate gerilimi toleransı vardır. 150°C maksimum işletme sıcaklığında 45W güç tüketebilir. Geniş gerilim ve akım aralığında çalışabilmesi, endüstriyel kontrol ve enerji yönetimi uygulamalarında tercih edilmesini sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 364 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 790mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok