Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP8NM50

MOSFET N-CH 550V 8A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP8NM50

STP8NM50 Hakkında

STP8NM50, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 550V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10V gate sürü geriliminde 800mΩ on-direnci ve 13nC gate yükü özellikleri sayesinde verimli anahtarlama performansı sağlar. Güç kaynağı kontrol devreleri, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve indüktif yük anahtarlaması gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, -65°C ile 150°C arasında çalışabilir. 100W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Dikkat: Bu parça üretimi sonlandırılmış (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 550 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 415 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok