Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP8NK85Z

MOSFET N-CH 850V 6.7A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP8NK85Z

STP8NK85Z Hakkında

STP8NK85Z, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 850V drain-source gerilimi ve 6.7A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıplarının minimize edilmesini sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 150W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. Anahtarlama devre tasarımlarında, güç kaynağı kontrolü, motor sürücüleri ve indüktif yükler için uygun seçimdir. 60nC gate charge ve 1870pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. Ürün obsolete durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 850 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1870 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 3.35A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok