Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP8NK80Z

MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP8NK80Z

STP8NK80Z Hakkında

STP8NK80Z, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltaj ve 6.2A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 1.5Ω maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde düşük kayıplar sağlar. 46nC gate charge ve 1320pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Maksimum 140W güç tüketme kapasitesi bulunmaktadır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrolü, AC-DC dönüştürücüler ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1320 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok