Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP8NK100Z

MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP8NK100Z

STP8NK100Z Hakkında

STP8NK100Z, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 1000V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 6.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu transistör, 160W güç disipasyon yapabilir. TO-220-3 paket tipi ile through-hole montajı destekler. 1.85Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, anahtarlama devreler, motor kontrol ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2180 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.85Ohm @ 3.15A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok