Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP8N120K5

MOSFET N-CH 1200V 6A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP8N120K5

STP8N120K5 Hakkında

STP8N120K5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 1200V drain-source gerilim kapasitesi ve 6A sürekli drain akımı ile yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özellikleri sunar. TO-220 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, elektrik koruma sistemleri ve endüstriyel invertör uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir ve 130W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 505 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok