Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP80NE06-10
MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP80NE06
STP80NE06-10 Hakkında
STP80NE06-10, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim ve 80A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunar. TO-220-3 paketi ile standart PCB montajına uygun olan bu bileşen, güç amplifikatörleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V gate gerilim aralığında çalışır ve 175°C maksimum çip sıcaklığında güvenli şekilde işlem görebilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş olup, yeni tasarımlar için güncel alternatiflerin değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok