Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP80N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP80N10F7
STP80N10F7 Hakkında
STP80N10F7, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı özelliğine sahip olan bu bileşen, güç elektroniği uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. TO-220 paket tipi ile through-hole montajı destekler. 10mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıplarına sahiptir. Güç çevirici devreleri, motor sürücüleri, DC-DC konvertörler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 110W maksimum güç saçımını tolere eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok