Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP7N60M2

MOSFET N-CH 600V 5A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP7N60M2

STP7N60M2 Hakkında

STP7N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 5A sürekli dren akımı özellikleri ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 10V kapı sürme geriliminde 950mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimliliği açısından iyi bir seçenektir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 60W maksimum güç saçılımına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 271 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok