Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP6NM60N
MOSFET N-CH 600V 4.6A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP6NM60N
STP6NM60N Hakkında
STP6NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim ve 4.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, endüstriyel anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve invertör tasarımlarında tercih edilir. 10V gate sürüş geriliminde 920mOhm On-state direnci ile düşük ısıl kayıplar sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 45W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Ürün şu anda kullanımdan kaldırılmış (obsolete) olup, yeni tasarımlarda alternatif bileşen seçimi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 920mOhm @ 2.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok