Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP6NK60Z

MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP6NK60Z

STP6NK60Z Hakkında

STP6NK60Z, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim (Vdss) ve 6A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 1.2Ω (10V, 3A'de) maksimum Rds(on) değeri ile verimli işlem sağlar. ±30V maksimum gate gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. 110W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi endüstriyel ve tüketim uygulamalarında tercih edilen bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 905 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok