Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP6N65M2
MOSFET N-CH 650V 4A TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP6N65M2
STP6N65M2 Hakkında
STP6N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 4A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220 paketinde sunulan bu transistör, 1.35Ohm maksimum on-state direnci ile verimli güç yönetimi sağlar. Güç dağılımı 60W kapasitesine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu komponent, endüstriyel denetim devreleri, AC/DC dönüştürücüler ve güç amplifikatörlerinde uygulanır. ±25V gate gerilim aralığında güvenli işletim sunar. Not: Bu parça üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 226 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok