Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP6N60M2

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP6N60M2

STP6N60M2 Hakkında

STP6N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220 paketinde gelen bu bileşen, 1.2Ω maksimum on-direnç (Rds On) ile verimliliği artırır. Anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve diyotlü sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında 60W güç dağıtabilir. Gate charge değeri 8nC olup hızlı anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 232 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok