Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP6N120K3

MOSFET N-CH 1200V 6A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP6N120K3

STP6N120K3 Hakkında

STP6N120K3, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 1200V drain-source voltajı ve 6A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, inverterler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 2.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, 150W maksimum güç harcaması ile orta güç seviyeleri için uygun bir çözümdür. Kapı voltajı maksimum ±30V olup, 10V drive voltajda optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok