Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP5NK65Z

MOSFET N-CH 650V 5A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP5NK65Z

STP5NK65Z Hakkında

STP5NK65Z, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 5A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sağlanan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, motor kontrolü ve endüstriyel enerji yönetim sistemlerinde yer alır. 1.8Ω maksimum gate-source direnci (Rds On) ile verimli güç iletimi sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan ve maksimum 85W güç disipasyonu destekleyen bu transistör, through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan entegre edilebilir. 35nC gate charge ve 680pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 2.1A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok