Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP5NB60

MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP5NB60

STP5NB60 Hakkında

STP5NB60, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, sürekli 5A dren akımı ile çalışabilir ve maksimum 100W güç tüketebilir. 2Ω(max) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate threshold voltajı 5V@250µA ve maksimum gate voltajı ±30V'dur. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC konvertörler gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılır. 150°C işletme sıcaklığı ile yüksek sıcaklık ortamlarında çalışabilme kabiliyetine sahiptir. Bileşen kullanımdan kaldırıldığı (obsolete) için yeni tasarımlarda alternatif parçaların değerlendirilmesi önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 884 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok