Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP5N120

MOSFET N-CH 1200V 4.7A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP5N120

STP5N120 Hakkında

STP5N120, STMicroelectronics tarafından üretilen 1200V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.7A sürekli dren akımı ve 3.5Ω maksimum Rds(on) değeri ile enerji dönüştürme, güç kaynakları, motor kontrol ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda çalışabilir. ±30V gate voltaj toleransı ve geniş -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ortamlarda kullanıma uygundur. 55nC gate charge ve 120pF input kapasitansı ile kontrollü anahtarlama karakteristiği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 120 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 2.3A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok