Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP50NE10
MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP50NE10
STP50NE10 Hakkında
STP50NE10, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 100V drain-source gerilim dayanımı ve 50A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürüş geriliminde 27mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 180W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevleri için kullanılır. Motor kontrolörleri, anahtarlama kaynakları, güç yönetimi devreler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Maksimum 175°C işletme sıcaklığında stabil çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 166 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok