Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP50N65DM6

MOSFET N-CH 650V 33A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP50N65DM6

STP50N65DM6 Hakkında

STP50N65DM6, STMicroelectronics tarafından üretilen yüksek voltaj N-channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltaj ve 33A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, SMPS (Switched Mode Power Supplies), motor sürücüler ve enerji dönüştürme sistemlerinde geniş uygulama alanı bulunmaktadır. Maksimum 91mΩ on-resistance değeri ve 250W güç disipasyon kapasitesiyle verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenli işletme sıcaklık aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 91mOhm @ 16.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok