Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP50N60DM6

MOSFET N-CH 600V 36A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP50N60DM6

STP50N60DM6 Hakkında

STP50N60DM6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajında 36A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-220 paketinde sunulan bu komponentin maksimum RDS(on) değeri 10V gate voltajında 80mOhm'dur. 250W güç tüketim kapasitesine ve 55nC gate yükü özelliğine sahiptir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. Yüksek voltajlı anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrolü ve inverter devreleri gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2350 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok