Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP4NK80Z

MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP4NK80Z

STP4NK80Z Hakkında

STP4NK80Z, STMicroelectronics tarafından üretilen yüksek voltaj N-channel MOSFET transistörüdür. 800V Drain-Source gerilimi ve 3A sürekli drenaj akımı ile çalışmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 80W güç disipasyonu kapasitesine ve 3.5Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir performans gösterir. Endüstriyel uygulamalarda, switching güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 575 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok