Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP4NK60Z

MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP4NK60Z

STP4NK60Z Hakkında

STP4NK60Z, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel power MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltajı ve 4A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve boost konverterleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±30V gate voltajı ve 4.5V threshold voltajı ile geniş kontrol aralığına sahiptir. 70W maksimum güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı endüstriyel uygulamalar için uygun parametreler sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok