Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP4NB80
MOSFET N-CH 800V 4A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP4NB80
STP4NB80 Hakkında
STP4NB80, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 4A sürekli drain akımı ve 100W güç dağılımı kapasitesiyle orta güç seviyesi devreler için uygundur. 3.3Ω maksimum on-state dirençi (10V gate geriliminde) ile verim kaybını minimize eder. TO-220-3 paketinde gelen bu transistör, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±30V gate gerilim aralığı geniş kontrol esnekliği sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 920 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok